EUV光刻技术近期迎来了显著变革，自其提出以来所面临的挑战正逐渐被克服。随着技术的不断成熟，EUV光刻机已突破了制程限制，特别是在10纳米及以下制程中，展现了其无可替代的优势。多家顶尖公司，如英特尔、imec、美光及三星，均宣布了与EUV相关的重要进展，进一步推动了EUV技术的商用化进程。

在2025年的SPIE先进光刻+图案化技术大会上，各芯片厂商积极讨论了EUV光刻机，特别是最新一代的High NA EUV光刻机的应用进展。英特尔作为首家购买High NA EUV光刻机的芯片厂商，已在其D1开发工厂安装并开始使用两台ASML High-NA Twinscan EXE:5000 EUV光刻工具，一个季度内已处理多达30,000片晶圆。这些高数值孔径机器展现出了卓越的性能，仅用一次曝光和少数处理步骤就能完成早期机器需要多次曝光和大量处理步骤的工作。

imec也在大会上展示了在单次曝光High NA EUV光刻后图案化的20纳米间距金属线结构上的首个电气测试结果，结果显示出90%以上的良率，这证实了High NA EUV光刻扫描仪及其生态系统能够在如此小的尺寸下图案化线条/空间。

美光公司也推出了采用全新1γ制造工艺的16Gb DDR5设备，这是美光首次采用EUV技术的工艺。随着美光也转向EUV，三家存储厂商的竞争愈发激烈。

此外，三星也在积极引进High NA EUV机器以提高竞争力，并决定采用EUV光罩薄膜以提高生产效率。尽管三星在自主研发EUV薄膜方面取得了一定进展，但仍选择了向日本三井化学公司采购EUV光罩薄膜。

值得一提的是，瑞典公司AlixLabs AB通过其创新的原子层蚀刻间距分割技术，成功在英特尔提供的测试硅片上蚀刻出与商用3纳米半导体工艺相对应的结构，该技术有望减少对多重图案化解决方案的依赖，同时降低成本和环境影响。

综上所述，EUV光刻技术正不断取得突破，向着更高效、更精准、更低成本的方向发展。未来，EUV光刻技术将继续引领芯片制造向更小、更精密的尺寸迈进，为全球半导体产业的创新与竞争提供强大的技术支撑。然而，也需要注意到伪原创的局限性，特别是在法律和版权方面，应确保在合规的前提下使用相关技术。